文献综述
一、 课题名称HfO2基薄膜电极及界面性质研究二、 项目研究背景从1958年集成电路时代开始以来，人们正不断向信息化社会高速迈进。
随着人们进入21世纪，信息化社会高度发展，产生了海量的数据，这些数据给存储器的发展带来不小的挑战。
其中最具代表性的存储技术之一的是铁电存储器，它是利用铁电薄膜材料的自发极化来存储逻辑数据0-1状态的，具有高读写寿命、强抗辐射性能和超低功耗的优异性能。
为实现其性能，铁电存储器所需的薄膜材料需要较为严格的条件[1]，而钙钛矿结构铁电薄膜材料是少数能够基本满足存储器用铁电薄膜要求的材料之一。
但由于一方面钙钛矿结构铁电薄膜材料与硅半导体材料均存在界面不匹配的问题[2]，另一方面该类铁电薄膜至少需要几十个纳米厚度才有较好的铁电性能，导致目前的铁电存储器都采用铁电平板电容的架构，存储单元面积大，限制了存储容量的提升，极大地限制了铁电存储器的推广应用，以及各种污染问题也不容忽视[3]。
除此以外，人们同样在不断追求器件的微型化以及更好的性能。
但是在微型化过程中，器件工作会变得复杂化，器件性能也会有一定程度上的降低。
在这些电学器件中，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的缩小是制约器件微型化的重要因素。
当它的特征尺寸（栅极宽度）缩小时，会带来不少问题。
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