摘要
氮化铝陶瓷作为一种新型无机非金属材料，凭借其优异的性能在电子、航空航天等领域展现出巨大的应用潜力。
球形氮化铝粉体作为制备高性能氮化铝陶瓷的关键基础材料，其制备技术一直是国内外研究的热点。
本文综述了球形氮化铝粉体的制备方法，包括直接氮化法、碳热还原氮化法、自蔓延高温合成法等，并分析了各种方法的优缺点。
此外，还介绍了球形氮化铝粉体的应用领域，并展望了其未来发展趋势。
关键词：氮化铝；球形粉体；制备方法；碳热还原；自蔓延高温合成
氮化铝(AlN)是一种共价键化合物，属于六方晶系纤锌矿结构，具有高熔点(2200℃)、高热导率(320W/(m·K))、低热膨胀系数(4.5×10^-6/℃)、优良的电绝缘性能(10^14Ω·cm)、良好的机械强度和耐化学腐蚀性等优异性能[1-3]。
同时，AlN与Si的热膨胀系数相近，可以与Si基芯片形成良好的匹配，是制备新一代高功率集成电路基板、大规模集成电路封装材料、高亮度发光二极管散热基片等电子器件的理想材料[4-6]。
AlN陶瓷的性能与其粉体的形貌、粒径、纯度等密切相关。
球形AlN粉体具有流动性好、填充性高、烧结活性高等优点，可以显著改善AlN陶瓷的显微结构和性能[7-9]。
因此，近年来，球形AlN粉体的制备技术成为了国内外研究的热点。
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