摘要
相变材料和热电材料作为两种重要的功能材料，在能源转换和存储领域有着广泛的应用前景。
Sn2Se3作为一种新型的相变材料，近年来因其独特的晶体结构和优异的电学性能，受到研究者的广泛关注。
过渡金属元素的掺杂被证明是调控Sn2Se3材料相变特性和电学性能的有效手段。
本综述首先介绍了相变材料、热电材料以及Sn2Se3材料的研究背景，接着重点概述了近年来过渡金属掺杂Sn2Se3薄膜的制备工艺及电性能的研究进展，包括不同掺杂元素种类、掺杂浓度以及制备方法对Sn2Se3薄膜的相结构、微观形貌、电阻率、塞贝克系数以及热导率等方面的影响，并对相关机制进行了探讨。
最后，对过渡金属掺杂Sn2Se3薄膜未来的研究方向进行了展望。
关键词：Sn2Se3薄膜；过渡金属掺杂；相变材料；热电性能；制备工艺
随着能源需求的日益增长和环境问题的日益严峻，开发清洁、高效的能源转换和存储技术成为了当今社会可持续发展的重要课题。
相变材料和热电材料作为两种重要的功能材料，在能源领域有着广泛的应用前景。
相变材料能够在相变过程中吸收或释放大量的潜热，可用于热能存储、温度控制等领域[1]。
热电材料则可以直接将热能和电能相互转换，在废热回收、温差发电等方面具有巨大潜力[2]。
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